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| 什么是化學(xué)氣相蒸鍍(CVD)? |
| 發(fā)布時(shí)間：2024-07-26 瀏覽：299 次 |
化學(xué)氣相蒸鍍是使用一種或多種氣體，在一加熱的固體基材上發(fā)生化學(xué)反應，并鍍上一層固態(tài)薄膜。 化學(xué)氣相蒸鍍缺點(diǎn): 1、熱力學(xué)及化學(xué)反應機制不易了解或不甚了解 2、需要在高溫下進(jìn)行，有些基材不能承受，甚至和鍍膜產(chǎn)生作用 3、反應氣體可能具腐蝕性、毒性或爆炸性，處理時(shí)需小心 4、反應生成物可能殘余在鍍膜上，成為雜質(zhì) 5、基材的遮蔽很難 化學(xué)氣相蒸鍍優(yōu)點(diǎn): 1、真空度要求不高，甚至可以不需要真空，例如熱噴覆 2、沉積速率快，大氣CVD可以達到1μm/min 3、與PVD比較的話(huà)?；瘜W(xué)量論組成或合金的鍍膜較容易達成 4、鍍膜的成份多樣化，如金屬、非金屬、半導體、光電材料、鉆石薄膜 5、可以在復雜形狀的基材鍍膜，甚至滲入多孔的陶瓷 6、厚度的均勻性良好，低壓CVD甚至可以同時(shí)鍍數十芯片 本文由真空鍍膜機廠(chǎng)家愛(ài)加真空收集整理自網(wǎng)絡(luò )，僅供學(xué)習和參考! |
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