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　　6.1一般術(shù)語(yǔ)

　　6.1.1真空鍍膜vacuum coating在處于真空下的基片上制取膜層的一種方法。

　　6.1.2基片substrate膜層承受體。

　　6.1.3試驗基片testing substrate在鍍膜開(kāi)始、鍍膜過(guò)程中或鍍膜結束后用作測量和或試驗的基片。

　　6.1.4鍍膜材料coating material用來(lái)制取膜層的原材料。

　　6.1.5蒸發(fā)材料evaporation material在真空蒸發(fā)中用來(lái)蒸發(fā)的鍍膜材料。

　　6.1.6濺射材料sputtering material有真空濺射中用來(lái)濺射的鍍膜材料。

　　6.1.7膜層材料(膜層材質(zhì))film material狀干膜層的材料。

　　6.1.8蒸發(fā)速率evaporation rate在給定時(shí)間間隔內蒸發(fā)出來(lái)的材料量除以該時(shí)間間隔

　　6.1.9濺射速率sputtering rate在給定時(shí)間間隔內濺射出來(lái)的材料量除以該時(shí)間間隔。

　　6.1.10沉積速率deposition rate在給定時(shí)間間隔內沉積在基片上的材料量除以該時(shí)間間隔和基片表面積。

　　6.1.11鍍膜角度coating angle入射到基片上的粒子方向與被鍍表面法線(xiàn)之間的夾角。

　　6.2工藝

　　6.2.1真空蒸膜vacuum evaporation coating使鍍膜材料蒸發(fā)的真空鍍膜過(guò)程。

　　6.2.1.1同時(shí)蒸發(fā)simultaneous evaporation用數個(gè)蒸發(fā)器把各種蒸發(fā)材料同時(shí)蒸鍍到基片上的真空蒸發(fā)。

　　6.2.1.2蒸發(fā)場(chǎng)蒸發(fā)evaporation field evaporation由蒸發(fā)場(chǎng)同時(shí)蒸發(fā)的材料到基片上進(jìn)行蒸鍍的真空蒸發(fā)(此工藝應用于大面積蒸發(fā)以獲得到理想的膜厚分布)。

　　6.2.1.3反應性真空蒸發(fā)reactive vacuum evaporation通過(guò)與氣體反應獲得理想化學(xué)成分的膜層材料的真空蒸發(fā)。

　　6.2.1.4蒸發(fā)器中的反應性真空蒸發(fā)reactive vacuum evaporation in evaporator與蒸發(fā)器中各種蒸發(fā)材料反應而獲得理想化學(xué)成分膜層材料的真空蒸發(fā)。

　　6.2.1.5直接加熱的蒸發(fā)direct heating evaporation蒸發(fā)材料蒸發(fā)所必須的熱量是對蒸發(fā)材料(在坩堝中或不用坩堝)本身加熱的蒸發(fā)。

　　6.2.1.6感應加熱蒸發(fā)induced heating evaporation蒸發(fā)材料通過(guò)感應渦流加熱的蒸發(fā)。

　　6.2.1.7電子束蒸發(fā)electron beam evaporation通過(guò)電子轟擊使蒸發(fā)材料加熱的蒸發(fā)。

　　6.2.1.8激光束蒸發(fā)laser beam evaporation通過(guò)激光束加熱蒸發(fā)材料的蒸發(fā)。

　　6.2.1.9間接加熱的蒸發(fā)indirect heating evaporation在加熱裝置(例如小舟形蒸發(fā)器坩堝燈絲加熱板加熱棒螺旋線(xiàn)圈等)中使蒸發(fā)材料獲得蒸發(fā)所必須的熱量并通過(guò)熱傳導或熱輻射方式傳遞給蒸發(fā)材料的蒸發(fā)。

　　6.2.1.10閃蒸flash evaportion將極少量的蒸發(fā)材料間斷地做瞬時(shí)的蒸發(fā)。

　　6.2.2真空濺射vacuum sputtering在真空中惰性氣體離子從靶表面上轟擊出原子分子或原子團的過(guò)程。

　　6.2.2.1反應性真空濺射 reactive vacuum sputtering通過(guò)與氣體的反應獲得理想化學(xué)成分的膜層材料的真空濺射。

　　6.2.2.2 偏壓濺射bias sputtering在濺射過(guò)程中將偏壓施加于基片以及膜層的濺射。

　　6.2.2.3 直流二級濺射direct current diode sputtering通過(guò)二個(gè)電極間的直流電壓使氣體自持放電并把靶作為陰極的濺射。

　　6.2.2.4非對稱(chēng)性交流濺射asymmtric alternate current sputtering通過(guò)二個(gè)電極間的非對稱(chēng)性交流電壓使氣體自持放電并把靶作為吸收較大正離子流的電極。

　　6.2.2.5高頻二極濺射high frequency diode sputtering通過(guò)二個(gè)電極間的高頻電壓獲得高頻放電而使靶極獲得負電位的濺射。

　　6.2.2.6熱陰極直流濺射三極型濺射hot cathode direct current sputtering借助于熱陰極和陽(yáng)極獲得非自持氣體放電氣體放電所產(chǎn)生的離子由在陽(yáng)極和陰極靶之間所施加的電壓加速而轟擊靶的濺射。

　　6.2.2.7 熱陰極高頻濺射三極型濺射hot cathode high frequency sputtering借助于熱陰極和陽(yáng)極獲得非自持氣體放電氣體放電產(chǎn)生的離子在靶表面負電位的作用下加速而轟擊靶的濺射。

　　6.2.2.8離子束濺射ion beam sputtering利用特別的離子源獲得的離子束使靶的濺射。

　　6.2.2.9輝光放電清洗glow discharge cleaning利用輝光放電原理使基片以及膜層表面經(jīng)受氣體放電轟擊的清洗過(guò)程。

　　6.2.3物理氣相沉積PVD physical vapor deposition在真空狀態(tài)下鍍膜材料經(jīng)蒸發(fā)或濺射等物理方法氣化沉積到基片上的一種制取膜層的方法。

　　6.2.4化學(xué)氣相沉積CVD chemical vapor deposition一定化學(xué)配比的反應氣體在特定激活條件下通常是一定高的溫度通過(guò)氣相化學(xué)反應生成新的膜層材料沉積到基片上制取膜層的一種方法。

　　6.2.5磁控濺射magnetron sputtering借助于靶表面上形成的正交電磁場(chǎng)把二次電子束縛在靶表面特定區域來(lái)增強電離效率增加離子密度和能量因而可在低電壓大電流取得很高濺射速率。

　　6.2.6 等離子體化學(xué)氣相沉積PCVD plasma chemistry vapor deposition通過(guò)放電產(chǎn)生的等離子體促進(jìn)氣相化學(xué)反應在低溫下在基片上制取膜層的一種方法。

　　6.2.7空心陰極離子鍍HCD hollow cathode discharge deposition 利用空心陰極發(fā)射大量的電子束使坩堝內鍍膜材料蒸發(fā)并電離在基片上的負偏壓作用下離子具有較大能量

　　沉積在基片表面上的一種鍍膜方法。

　　6.2.8電弧離子鍍arc discharge deposition以鍍膜材料作為靶極借助于觸發(fā)裝置使靶表面產(chǎn)生弧光放電鍍膜材料在電弧作用下產(chǎn)生無(wú)熔池蒸發(fā)并沉積在基片上的一種鍍膜方法。

　　6.3專(zhuān)用部件

　　6.3.1鍍膜室coating chamber真空鍍膜設備中實(shí)施實(shí)際鍍膜過(guò)程的部件

　　6.3.2蒸發(fā)器裝置evaporator device真空鍍膜設備中包括蒸發(fā)器和全部為其工作所需要的裝置(例如電能供應、供料和冷卻裝置等)在內的部件。

　　6.3.3蒸發(fā)器evaporator蒸發(fā)直接在其內進(jìn)行蒸發(fā)的裝置例如小舟形蒸發(fā)器坩堝燈絲加熱板加熱棒螺旋線(xiàn)圈等等必要時(shí)還包括蒸發(fā)材料本身。

　　6.3.4直接加熱式蒸發(fā)器evaporator by direct heat蒸發(fā)材料本身被加熱的蒸發(fā)器。

　　6.3.5間接加熱式蒸發(fā)器evaporator by indirect heat蒸發(fā)材料通過(guò)熱傳導或熱輻射被加熱的蒸發(fā)器。

　　6.3.6蒸發(fā)場(chǎng)evaporation field由數個(gè)排列的蒸發(fā)器加熱相同蒸發(fā)材料形成的場(chǎng)。

　　6.3.7濺射裝置sputtering device包括靶和濺射所必要的輔佐裝置(例如供電裝置氣體導入裝置等)在內的真空濺射設備的部件。

　　6.3.8靶target用粒子轟擊的面。本標準中靶的意義就是濺射裝置中由濺射材料所狀干的電極。

　　6.3.9擋板shutter用來(lái)在時(shí)間上和(或)空間上限制鍍膜并借此能達到一定膜厚分布的裝置。擋板可以是固定的也可以是活動(dòng)的。

　　6.3.10時(shí)控擋板timing shutter在時(shí)間上能用來(lái)限制鍍膜因此從鍍膜的開(kāi)始、中斷到結束都能按規定時(shí)刻進(jìn)行的裝置。

　　6.3.11掩膜mask用來(lái)遮蓋部分基片在空間上能限制鍍膜的裝置。

　　6.3.12基片支架substrate holder可直接夾持基片的裝置例如夾持裝置框架和類(lèi)似的夾持器具。

　　6.3.13夾緊裝置clamp在鍍膜設備中用或不用基片支架支承一個(gè)基片或幾個(gè)基片的裝置例如夾盤(pán)夾鼓球形夾罩夾籃等。夾緊裝置可以是固定的或活動(dòng)的(旋轉架行星齒輪系等)。

　　6.3.14換向裝置reversing device在真空鍍膜設備中不打開(kāi)設備能將基片、試驗玻璃或掩膜放到理想位置上的裝置(基片換向器試驗玻璃換向器掩膜換向器)。

　　6.3.15基片加熱裝置substrate heating device在真空鍍膜設備中通過(guò)加熱能使一個(gè)基片或幾個(gè)基片達到理想溫度的裝置。

　　6.3.16基片冷卻裝置substrate colding device在真空鍍膜設備中通過(guò)冷卻能使一個(gè)基片或幾個(gè)基片達到理想溫度的裝置。

　　6.4真空鍍膜設備

　　6.4.1真空鍍膜設備vacuum coating plant在真空狀態(tài)下制取膜層的設備。

　　6.4.1.1真空蒸發(fā)鍍膜設備vacuum evaporation coating plant借助于蒸發(fā)進(jìn)行真空鍍膜的設備。

　　6.4.1.2真空濺射鍍膜設備vacuum sputtering coating plant借助于真空濺射進(jìn)行真空鍍膜的設備。

　　6.4.2連續鍍膜設備continuous coating plant被鍍膜物件單件或帶材連續地從大氣壓經(jīng)過(guò)壓力梯段進(jìn)入到一個(gè)或數個(gè)鍍膜室再經(jīng)過(guò)相應的壓力梯段繼承離開(kāi)設備的連續式鍍膜設備。

　　6.4.3半連續鍍膜設備semi- continuous coating plant被鍍物件通過(guò)閘門(mén)送進(jìn)鍍膜室并從鍍膜室取出的真空鍍膜設備。

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