1. 空心陰極離子鍍原理在本底真空為高真空的條件下由陰極中通入氬器氣1-10-2在陰極與輔助陽(yáng)極之間加上引弧電壓使氬氣發(fā)生輝光放電在空心陰極內產(chǎn)生低壓等離子體放電陰極溫度升高到2300-2400K時(shí)由冷陰極放電轉為熱陰極放電開(kāi)始熱電子發(fā)射放電轉為穩定狀態(tài)。
通入反應氣體可以制化合膜。
2. 測控濺射工作原理先將真空室預抽至10-3Pa然后通入氣體如氬氣氣壓為1-10 Pa時(shí)給靶加負電壓產(chǎn)生輝光放電電子在電場(chǎng)正作用下加速飛向基片時(shí)與氬原子碰撞電離出Ar和另一個(gè)電子轟擊靶材由二次電子電離的越來(lái)越多不斷轟擊靶材磁場(chǎng)改變電子的運動(dòng)方向以電磁場(chǎng)束縛和延長(cháng)電子的運動(dòng)軌跡從而提高電子對工作氣體的電離幾率。
3. 多弧離子鍍工作原理其工作原理為冷陰極自持弧光放電其物理基礎為場(chǎng)致發(fā)射。
被鍍材料接陰極真空室接陽(yáng)極真空室抽為高真空時(shí)引發(fā)電極啟動(dòng)器接觸拉開(kāi)此時(shí)陰極與陽(yáng)極之間形成穩定的電弧放電陰極表面布滿(mǎn)飛速游動(dòng)的陰極斑部分離子對陰極斑的轟擊使其變成點(diǎn)蒸發(fā)源以若干個(gè)電弧蒸發(fā)源為核心的為多弧離子鍍。
4. 電阻蒸發(fā)式鍍膜機膜材即要鍍的材料放于蒸發(fā)舟中置于真空室中抽到一定真空時(shí)通過(guò)電阻加熱膜材使其蒸發(fā)當蒸發(fā)分子的平均自由程大于蒸發(fā)源至基片的線(xiàn)性尺寸時(shí)原子和分子從蒸發(fā)源中逸出后到達基片形成膜。
為了使膜厚均勻可以利用電機帶動(dòng)基片旋轉并用膜厚儀控制膜厚制出優(yōu)質(zhì)膜。
5. E型槍工作原理陰極燈絲加熱后發(fā)射具有0.3 EV初動(dòng)能的熱電子這些熱電子在燈絲陰極與陽(yáng)極之間的電場(chǎng)作用下加速并會(huì )聚成束狀。
在電磁線(xiàn)圈的磁場(chǎng)中電子束沿E x B的方向偏轉通過(guò)陰極時(shí)電子的能量提高到10KV通過(guò)陽(yáng)極電子偏轉270度角而入射坩堝內的膜材表面上轟擊膜材使其蒸發(fā)。
6. PCVD鍍膜工作原理將被鍍件放在低壓輝光放電的陰極上通入適當氣體在一定溫度下利用化學(xué)反應和離子轟擊相結合的過(guò)程在工件表面獲得涂層。
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