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| MPCVD金剛石鍍膜沉積技術(shù) |
| 發(fā)布時(shí)間：2014-11-17 瀏覽：10688 次 |
金剛石膜是一種集眾多優(yōu)異性能于一身的新材料，尤其是其熱導率高、絕緣性能好以及微波介電損耗低等特點(diǎn)，使金剛石膜在微波電真空器件領(lǐng)域有著(zhù)重要的應用前景。 目前，以微波等離子體化學(xué)氣相沉積(MPCVD)方法制備高品質(zhì)金剛石膜的技術(shù)已趨向成熟。本文將針對微波電真空器件這一應用背景，簡(jiǎn)要介紹國內外高品質(zhì)金剛石膜MPCVD沉積技術(shù)的發(fā)展現狀，進(jìn)而對金剛石膜材料應用于微波電真空器件領(lǐng)域的一些典型實(shí)例進(jìn)行簡(jiǎn)單的介紹。 金剛石具有一系列獨特的性質(zhì)，包括極高的熱導率、極佳的介電強度和很低的介電損耗等。正是出于這一原因，真空技術(shù)網(wǎng)(http://www.chvacuum.com/)認為金剛石在微波電真空器件領(lǐng)域有著(zhù)重要的應用前景。 在最近的十余年里，以微波等離子體化學(xué)氣相沉積(microwave plasma chemical vapor deposition，MPCVD)方法為代表的金剛石膜沉積技術(shù)取得了長(cháng)足的發(fā)展。 應用MPCVD技術(shù)，目前人們已可以制備尺寸較大、品質(zhì)很高的金剛石膜材料。 在此基礎之上，金剛石膜作為一種結合了眾多優(yōu)異性能的實(shí)用材料在微波電真空器件領(lǐng)域中的應用已經(jīng)開(kāi)始嶄露頭角。 本文將首先簡(jiǎn)述MPCVD方法沉積金剛石膜的原理，進(jìn)而介紹國內外MPCVD金剛石膜沉積技術(shù)的發(fā)展現狀以及MPCVD方法在制備高品質(zhì)金剛石膜材料方面的應用情況。 最后，我們將有選擇地對金剛石膜材料應用于微波電真空器件領(lǐng)域的一些典型實(shí)例進(jìn)行介紹。 1、MPCVD方法金剛石膜沉積技術(shù) 在各種可用于金剛石膜的沉積方法之中，MPCVD方法是制備高品質(zhì)金剛石膜的首選方法。圖1是利用MPCVD方法制備金剛石膜過(guò)程的示意圖。 其中，微波能量在被輸入到MPCVD裝置中后，將使處于低壓下的氣體擊穿而形成等離子體。在金剛石膜沉積過(guò)程中，一般以氫氣為主、但加入少量含碳氣體(如約2%的甲烷)的混合氣體作為工作氣體。等離子體會(huì )使氣體受到激發(fā)，它產(chǎn)生的各種活性基團在擴散到襯底表面后沉積出金剛石膜。 MPCVD方法沉積的金剛石膜的品質(zhì)較高，但金剛石膜的沉積速率相對較低。而解決這一問(wèn)題的方法就在于顯著(zhù)提高M(jìn)PCVD金剛石膜沉積裝置可輸入的微波功率。因此，發(fā)展新型MPCVD裝置和借此提高金剛石膜的沉積速率，一直是MPCVD金剛石膜沉積技術(shù)研究的重點(diǎn)。  圖1 MPCVD方法中金剛石膜的沉積環(huán)境 2、國際上MPCVD金剛石膜沉積裝置的發(fā)展現狀 表1羅列了國際上有代表性的美、德、日、法、俄等國有公開(kāi)資料報道的MPCVD金剛石膜沉積裝置的基本情況。 表1 國外典型MPCVD金剛石膜沉積裝置的類(lèi)型與參數  從表1可以看出，MPCVD金剛石膜沉積裝置可被分為頻率為2.45和915MHz的兩大類(lèi)，而其類(lèi)型則包括了石英鐘罩式、圓柱諧振腔式、環(huán)形天線(xiàn)式以及橢球諧振腔式等四種。不同MPCVD裝置的主要差別之一是其允許輸入的微波功率高低。 2.45GHz頻率的石英鐘罩式MPCVD裝置允許輸入的微波功率一般不超過(guò)3kW，圓柱諧振腔式裝置的輸入功率一般不超過(guò)5kW，環(huán)形天線(xiàn)式裝置允許輸入的微波功率較高，可達6～8kW，而橢球諧振腔式裝置由于使用的石英鐘罩較大，因而其可輸入的微波功率也較高，達到約6kW。 2.45GHz頻率的MPCVD裝置可沉積的金剛石膜的尺寸有一定的限度，一般不超過(guò)3英寸。這是因為，各種MPCVD 裝置均屬于諧振腔式的裝置，其可沉積的金剛石膜的尺寸與所用微波的半波長(cháng)成正比。 915MHz頻率的MPCVD裝置可以沉積較大尺寸的金剛石膜，因為相應的微波波長(cháng)較長(cháng)。與此同時(shí)，915 MHz頻率的MPCVD 裝置的功率也較高，通常處于30～75kW 的范圍內。 3、我國MPCVD金剛石膜沉積技術(shù)的發(fā)展現狀 在我國，MPCVD金剛石膜沉積技術(shù)雖一直得到人們的關(guān)注，但其發(fā)展卻相對滯后。近年來(lái)，北京科技大學(xué)、武漢工程大學(xué)等單位分別在發(fā)展高功率MPCVD金剛石膜沉積技術(shù)方面取得了顯著(zhù)進(jìn)展。 圖2(a)是北京科技大學(xué)近年來(lái)研制的一種具有穹頂式諧振腔結構的MPCVD裝置的示意圖。 這一裝置較好地解決了高功率、石英窗的保護以及真空密封等難點(diǎn)，其微波輸入功率可達10kW。圖2(b)顯示的是采用新型MPCVD裝置所沉積的直徑50mm的金剛石膜，而圖2(c)則是此金剛石膜的Raman光譜圖。由圖2(b)，(c)可以看出，采用新裝置所沉積的金剛石膜具有很高的品質(zhì)，這一點(diǎn)可由金剛石膜具有很好的透光性以及金剛石膜Raman光譜中金剛石相Raman譜線(xiàn)2.3cm-1的半峰寬看出來(lái)。 除了自行研制MPCVD金剛石膜沉積裝置外，國內的一些研究單位也從國外陸續購置了MPCVD裝置。吉林大學(xué)使用日本Seki公司產(chǎn)的ASTeX5250型5kW 圓柱諧振腔式MPCVD裝置研究了光學(xué)級金剛石膜的沉積工藝和單晶金剛石膜的同質(zhì)外延;天津理工大學(xué)利用日本Seki公司的AX6350型6kW MPCVD裝置開(kāi)展了金剛石膜聲表面波器件的研究;中電集團12所利用Lambda公司的DiamoTek700型5kW 石英鐘罩式MPCVD裝置，開(kāi)展了微波器件用高品質(zhì)金剛石膜的制備技術(shù)研究;西安交通大學(xué)計劃采用日本Seki公司的AX6500型8kW MPCVD裝置等開(kāi)展金剛石單晶電子器件的研究工作。  圖2 穹頂形諧振腔式MPCVD金剛石膜沉積裝置的結構圖，其所制備的金剛石膜以及后者的Raman光譜圖 6、結束語(yǔ) 目前，MPCVD金剛石膜沉積技術(shù)已經(jīng)有了長(cháng)足的發(fā)展，已經(jīng)可以為科學(xué)研究和器件研制提供較高品質(zhì)的金剛石膜材料。這使得在微波電真空器件領(lǐng)域中應用金剛石這種性能優(yōu)異的新材料，探索和制造具有新結構、新功能的微波器件供了可能性。 目前，人們正在探索將金剛石膜材料應用于諸如高功率回旋管和短毫米波行波管輸出窗、行波管螺旋線(xiàn)與慢波結構、場(chǎng)致發(fā)射與二次電子發(fā)射器件等一系列微波電真空器件的關(guān)鍵部件。 在不遠的將來(lái)，隨著(zhù)人類(lèi)探索范圍的不斷擴大，金剛石膜這種具有多種優(yōu)異性能的新材料在各高技術(shù)領(lǐng)域將會(huì )不斷地發(fā)現新的用途。
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