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| 真空鍍鋁技術(shù)分析及故障排除 |
| 發(fā)布時(shí)間：2014-09-04 瀏覽：6006 次 |
1.鍍鋁層陽(yáng)極氧化故障的排除 氧化層表面有點(diǎn)狀痕跡 (1)預熔時(shí)電流過(guò)高或未加擋板。應適當降低預熔電流及加設擋板。 (2)蒸發(fā)電流過(guò)高。應適當降低 氧化層表面有流痕印跡 (1)鍍件表面清潔不良。應加強清潔處理。 (2)擦拭鍍件時(shí)蘸用乙醇過(guò)多。應減少乙醇的蘸用量。 (3)手指接觸鍍件表面后留下指印。應禁止手指接觸鍍件表面。 (4)唾液噴濺到鍍件表面，使鍍層表面產(chǎn)生圈狀印跡。操作者應帶上口罩 氧化層表面有灰點(diǎn) (1)真空室底盤(pán)或室壁太臟。應使用乙醇擦拭干凈。 (2)夾具太臟。應按工藝規程定期清洗夾具 氧化層表面發(fā)紅 (1)陽(yáng)極氧化電壓偏低，氧化層厚度不夠。應將電壓提高到120V左右。 (2)氧化時(shí)間太短，導致陽(yáng)極氧化后表面發(fā)紅。應適當延長(cháng)氧化時(shí)間 氧化層表面發(fā)花 (1)氧化電壓太高，氧化層部分發(fā)藍。應適當降低電壓。 (2)各氧化點(diǎn)的電壓或氧化時(shí)間不相同。應使各氧化點(diǎn)的電壓和氧化時(shí)間保持一致。 (3)電解液溫度太高。應適當降低 氧化層表面發(fā)黃 (1)氧化電壓太高，氧化層太厚。應適當降低電壓。 (2)氧化時(shí)間太長(cháng)。應適當縮短。 (3)氧化點(diǎn)太多。應適當減少 氧化層表面有灰白細點(diǎn) (1)溶液中鋁含量增加。應更換部分溶液。 (2)電解液溫度太高。應適當降低。 (3)鍍件水洗不足，表面殘留電解液，在水分或潮濕氣體作用下形成灰白色的氫氧化鋁細 點(diǎn)。應將氧化后的鍍件表面用蒸餾水洗凈電解液，然后擦干，最好是將氧化后的鍍件擦干后 放人無(wú)水乙醇中浸1-2h，然后加溫到12.0~C保溫數小時(shí) 氧化后鍍層起泡脫落 (1)鍍件表面油a8未除凈。應加強脫脂處理。 (2>真空度太低。應適當提高蒸發(fā)時(shí)的真空度。由于鋁是易氧化的金屬，又容易吸收氧， 在低真空度下蒸發(fā)，會(huì )因吸收剩余氣體而形成茶褐色的氧化膜，導致反射率降低，鍍層易起泡 脫落。通常預熔的真空度為0.067Pa;蒸鍍裝飾性的鋁膜，蒸發(fā)時(shí)的真空度可適當低一些，一 般和預熔的真空度相同;蒸鍍質(zhì)量要求高的鋁膜，真空度應當高一些，一般為(4—6.7)x10” h。 (3)鍍件表面有異物附著(zhù)?？蓪?shí)施離子轟擊。一般蒸鍍鋁膜時(shí)進(jìn)行離子轟擊的工藝條件 為：電壓2—3kV;電流60—140mA;時(shí)間5—30min 氧化后鍍層露底 鍍鋁層太薄。應適當延長(cháng)蒸鍍時(shí)間，增加膜層厚度。通常，鋁膜厚度為(5—20)xlo—3mm， 控制其厚度主要采用計時(shí)法，亦可根據膜層的透光程度來(lái)判斷膜厚，這些方法都需要操作人 員具有豐富的實(shí)踐經(jīng)驗才能控制，但對裝飾鍍層用上述方法已足可滿(mǎn)足要求 氧化層厚度不足 (1)電解時(shí)間太短。應適當延長(cháng)。 (2)氧化電壓偏低。應適當提高。 (3)接觸不良。應改進(jìn)接觸方式，陽(yáng)極(鎳針)與鍍件表面鋁層必須接觸良好。 (4)接觸點(diǎn)的數量不夠。應增加接觸點(diǎn)。對于面積較大的鍍件，應在120~的分度線(xiàn)上設三個(gè)氧化點(diǎn)。 (5)電解液溫度偏高。應適當降低。 (6)接觸點(diǎn)被擊穿。應變換接觸點(diǎn) 氧化層表面有針孔 (1)鍍鋁層太薄。應適當延長(cháng)蒸發(fā)時(shí)間。 (2)靜電除塵不徹底。應嚴格按照工藝要求進(jìn)行靜電除塵。 (3)離子轟擊電流太大，時(shí)間太長(cháng)。應適當減小離子轟擊電流，一般60—140mA。離子轟擊 規范應視鍍件材質(zhì)的耐熱程度來(lái)調整，以防鍍件變形。 (4)真空室和夾具太臟。應定期清潔真空室和夾具 氧化層脫邊 (1)鍍件邊緣清潔不良，有拋光粉、汗漬和污物等。應加強鍍件邊緣的清潔，擦拭時(shí)應帶上 工作手套。 (2)夾具不清潔。應徹底清潔夾具，特別應注意清潔夾具與鍍件邊緣接觸的部位 氧化層耐磨和耐蝕性能不良 (1)電解液溫度偏高。應適當降低。 (2)氧化電壓偏低。應適當提高。 (3)電解時(shí)間太長(cháng)。應適當縮短。 (4)電解液濃度過(guò)高。應適當降低。 (5)鍍鋁層被污染。應防止鍍件污染 氧化電壓升不高 (1)接觸點(diǎn)被擊穿。應變換接觸點(diǎn)。 (2)電解液濃度不正常。應調整電解液濃度。 (3)接觸點(diǎn)接觸不良。應改進(jìn)接觸方式 接觸點(diǎn)燒焦 (1)鍍件與夾具接觸不良。應改善接觸條件，使其導電性能良好。 (2)氧化電壓過(guò)高。應適當降低。 (3)電解液濃度不正常。應按配方進(jìn)行調整 2.鍍鋁層表面蒸鍍一氧化硅保護膜故障的排除 鍍鋁層表面呈藍灰色 (1)鍍鋁層偏厚。應適當縮短蒸鍍時(shí)間。 (2)真空度太低。應適當提高蒸發(fā)時(shí)的真空度。 (3)蒸發(fā)速度太慢。應將蒸發(fā)速度提高至3x10—3mnl~$。 (4)蒸發(fā)源上無(wú)鋁，仍繼續加熱。應補加鋁絲或鋁箔。 (5)蒸發(fā)源上鋁材的純度太低。應使用純度為99.9%—99.99%的鋁絲或鋁箔 膜層表面發(fā)紅 一氧化硅鍍膜太薄。應適當延長(cháng)蒸鍍時(shí)間 膜層表面開(kāi)裂 (1)一氧化硅的蒸發(fā)速度太快。應適當減慢。 (2)一氧化硅鍍膜太厚。應適當減少蒸發(fā)時(shí)間。一般鍍膜厚度為波長(cháng)l的一半為宜。精密 控制膜層厚度需用光電膜厚控制儀，簡(jiǎn)單的方法亦可采用目測。目測法是根據表面的干涉色 隨厚度增厚而變化的規律米控制膜厚，其表面顏色的變化規律為：黃一紅一紫一綠一黃一紅。 在蒸鍍時(shí)，若觀(guān)察到第二次干涉色為黃色或紅色時(shí)，立即停止蒸發(fā)，即可獲得適宜的膜厚。 (3)鍍后熱處理工藝條件控制不當。應按緩慢升溫和降溫的要求進(jìn)行烘烤處理 膜層不耐磨 (1)一氧化硅鍍膜太薄。應適當延長(cháng)一氧化硅膜的蒸發(fā)時(shí)間。 (2)鍍后熱處理工藝控制不當。應按工藝規程進(jìn)行烘烤 本文由愛(ài)加真空收集整理，僅供交流學(xué)習之用，維修進(jìn)口真空鍍膜機找愛(ài)加真空，技術(shù)可靠服務(wù)好! |
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