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| 那種原因會(huì )影響真空鍍膜機iTO薄膜 |
| 發(fā)布時(shí)間：2014-08-15 瀏覽：5239 次 |
ITO薄膜在濺鍍過(guò)程中會(huì )產(chǎn)生不同的特性，有時(shí)候表面光潔度比較低，出現“麻點(diǎn)”的現象，有時(shí)候會(huì )出現高蝕間隔帶。 在蝕刻時(shí)還會(huì )出現直線(xiàn)放射型缺劃或電阻偏高帶，有時(shí)候會(huì )出現微晶溝縫。 各種特性的產(chǎn)生一般取決于靶材和玻璃的選用，濺鍍時(shí)所使用的溫度和運動(dòng)方式。 當前常用的ITO靶材制作是通過(guò)燒結法生產(chǎn)的，就是由氧化銦(In2O3)和氧化錫(SnO2)粉末按照一定的比例進(jìn)行混合，通常質(zhì)量比是90%In2O3和10% SnO2，再通過(guò)一系列的生產(chǎn)工藝加工成型后，以1400℃～1600℃高溫通氧氣燒結，最終形成的黑灰色陶瓷半導體(氧化銦錫，ITO)。 一般通過(guò)外觀(guān)就可以了解ITO靶材的質(zhì)量，深灰色是最好的，相反越黑質(zhì)量越差，我國生產(chǎn)的ITO靶材質(zhì)量還可以的是黑灰色的。 經(jīng)過(guò)研究，在真空鍍膜機ITO薄膜濺鍍過(guò)程中，使用磁控濺射的方式，基底溫度控制在200℃左右可以保證薄膜85%以上高可見(jiàn)光透過(guò)率下，電阻率達到最低，而薄膜的結晶度也隨著(zhù)基底溫度的提高而提高，晶粒尺寸也逐漸增大。 超過(guò)200℃后透射率趨于減弱;使用電子束蒸鍍的方式，隨著(zhù)退火溫度升高，晶粒尺寸變大，表面形貌均一穩定，超過(guò)600℃后顆粒變得大小不一，形狀各異，小顆粒團聚現象嚴重，薄膜表面形貌破壞。 本文由愛(ài)加真空(http://www.hflgzx.com/)整理，我公司專(zhuān)業(yè)維修各種進(jìn)口真空鍍膜設備，技術(shù)好，服務(wù)周到，價(jià)格實(shí)惠，歡迎來(lái)電咨詢(xún)! 相關(guān)閱讀 |
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