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| 真空鍍膜技術(shù)原理講解 |
| 發(fā)布時(shí)間：2014-07-29 瀏覽：4804 次 |
所謂真空鍍膜就是置待鍍材料和被鍍基板于真空室內，采用一定方法加熱待鍍材料，使之蒸發(fā)或升華，并飛行濺射到被鍍基板表面凝聚成膜的工藝。 一、鍍膜的方法及分類(lèi) 在真空條件下成膜有很多優(yōu)點(diǎn)：可減少蒸發(fā)材料的原子、分子在飛向基板過(guò)程中于分子的碰撞，減少氣體中的活性分子和蒸發(fā)源材料間的化學(xué)反應(如氧化等)，以及減少成膜過(guò)程中氣體分子進(jìn)入薄膜中成為雜質(zhì)的量，從而提供膜層的致密度、純度、沉積速率和與基板的附著(zhù)力。 通常真空蒸鍍要求成膜室內壓力等于或低于10-2Pa，對于蒸發(fā)源與基板距離較遠和薄膜質(zhì)量要求很高的場(chǎng)合，則要求壓力更低。 主要分為一下幾類(lèi)： 蒸發(fā)鍍膜、濺射鍍膜和離子鍍。 蒸發(fā)鍍膜：通過(guò)加熱蒸發(fā)某種物質(zhì)使其沉積在固體表面，稱(chēng)為蒸發(fā)鍍膜。這種方法最早由M.法拉第于1857年提出，現代已成為常用鍍膜技術(shù)之一。 蒸發(fā)物質(zhì)如金屬、化合物等置于坩堝內或掛在熱絲上作為蒸發(fā)源，待鍍工件，如金屬、陶瓷、塑料等基片置于坩堝前方。待系統抽至高真空后，加熱坩堝使其中的物質(zhì)蒸發(fā)。 蒸發(fā)物質(zhì)的原子或分子以冷凝方式沉積在基片表面。薄膜厚度可由數百埃至數微米。膜厚決定于蒸發(fā)源的蒸發(fā)速率和時(shí)間(或決定于裝料量)，并與源和基片的距離有關(guān)。 對于大面積鍍膜，常采用旋轉基片或多蒸發(fā)源的方式以保證膜層厚度的均勻性。從蒸發(fā)源到基片的距離應小于蒸氣分子在殘余氣體中的平均自由程，以免蒸氣分子與殘氣分子碰撞引起化學(xué)作用。蒸氣分子平均動(dòng)能約為0.1～0.2電子伏。 蒸發(fā)源有三種類(lèi)型。 ?、匐娮杓訜嵩矗河秒y熔金屬如鎢、鉭制成舟箔或絲狀,通以電流,加熱在它上方的或置于坩堝中的蒸發(fā)物質(zhì) 電阻加熱源主要用于蒸發(fā)Cd、Pb、Ag、Al、Cu、Cr、Au、Ni等材料。 ?、诟哳l感應加熱源：用高頻感應電流加熱坩堝和蒸發(fā)物質(zhì)。 ?、垭娮邮訜嵩矗哼m用于蒸發(fā)溫度較高(不低于2000[618-1])的材料，即用電子束轟擊材料使其蒸發(fā)。 蒸發(fā)鍍膜與其他真空鍍膜方法相比，具有較高的沉積速率，可鍍制單質(zhì)和不易熱分解的化合物膜。 為沉積高純單晶膜層，可采用分子束外延方法。生長(cháng)摻雜的GaAlAs單晶層的分子束外延裝置 噴射爐中裝有分子束源，在超高真空下當它被加熱到一定溫度時(shí)，爐中元素以束狀分子流射向基片?；患訜岬揭欢囟?，沉積在基片上的分子可以徙動(dòng)，按基片晶格次序生長(cháng)結晶用分子束外延法可獲得所需化學(xué)計量比的高純化合物單晶膜，薄膜最慢生長(cháng)速度可控制在1單層/秒。 通過(guò)控制擋板,可精確地做出所需成分和結構的單晶薄膜。分子束外延法廣泛用于制造各種光集成器件和各種超晶格結構薄膜。 濺射鍍膜：用高能粒子轟擊固體表面時(shí)能使固體表面的粒子獲得能量并逸出表面，沉積在基片上。濺射現象于1870年開(kāi)始用于鍍膜技術(shù)，1930年以后由于提高了沉積速率而逐漸用于工業(yè)生產(chǎn)。 常用的二極濺射設備如圖3[ 二極濺射示意圖]。通常將欲沉積的材料制成板材——靶,固定在陰極上?；糜谡龑Π忻娴年?yáng)極上,距靶幾厘米。 系統抽至高真空后充入 10-1帕的氣體(通常為氬氣)，在陰極和陽(yáng)極間加幾千伏電壓，兩極間即產(chǎn)生輝光放電。放電產(chǎn)生的正離子在電場(chǎng)作用下飛向陰極，與靶表面原子碰撞，受碰撞從靶面逸出的靶原子稱(chēng)為濺射原子,其能量在1至幾十電子伏范圍。 濺射原子在基片表面沉積成膜。與蒸發(fā)鍍膜不同，濺射鍍膜不受膜材熔點(diǎn)的限制,可濺射W、Ta、C、Mo、WC、TiC等難熔物質(zhì)。濺射化合物膜可用反應濺射法，即將反應氣體 (O、N、HS、CH等)加入Ar氣中,反應氣體及其離子與靶原子或濺射原子發(fā)生反應生成化合物(如氧化物、氮化物等)而沉積在基片上。 沉積絕緣膜可采用高頻濺射法?；b在接地的電極上，絕緣靶裝在對面的電極上。高頻電源一端接地，一端通過(guò)匹配網(wǎng)絡(luò )和隔直流電容接到裝有絕緣靶的電極上。 接通高頻電源后，高頻電壓不斷改變極性。等離子體中的電子和正離子在電壓的正半周和負半周分別打到絕緣靶上。 由于電子遷移率高于正離子，絕緣靶表面帶負電，在達到動(dòng)態(tài)平衡時(shí)，靶處于負的偏置電位，從而使正離子對靶的濺射持續進(jìn)行。采用磁控濺射可使沉積速率比非磁控濺射提高近一個(gè)數量級。 離子鍍：蒸發(fā)物質(zhì)的分子被電子碰撞電離后以離子沉積在固體表面，稱(chēng)為離子鍍。這種技術(shù)是D.麥托克斯于1963年提出的。離子鍍是真空蒸發(fā)與陰極濺射技術(shù)的結合。 一種離子鍍系統將基片臺作為陰極，外殼作陽(yáng)極，充入惰性氣體(如氬)以產(chǎn)生輝光放電。從蒸發(fā)源蒸發(fā)的分子通過(guò)等離子區時(shí)發(fā)生電離。 正離子被基片臺負電壓加速打到基片表面。未電離的中性原子(約占蒸發(fā)料的95%)也沉積在基片或真空室壁表面。 電場(chǎng)對離化的蒸氣分子的加速作用(離子能量約幾百～幾千電子伏)和氬離子對基片的濺射清洗作用，使膜層附著(zhù)強度大大提高。 離子鍍工藝綜合了蒸發(fā)(高沉積速率)與濺射(良好的膜層附著(zhù)力)工藝的特點(diǎn)，并有很好的繞射性，可為形狀復雜的工件鍍膜。 二、薄膜厚度的測量 隨著(zhù)科技的進(jìn)步和精密儀器的應用，薄膜厚度測量方法有很多，按照測量的方式分可以分為兩類(lèi)：直接測量和間接測量。直接測量指應用測量?jì)x器，通過(guò)接觸(或光接觸)直接感應出薄膜的厚度。 常見(jiàn)的直接法測量有：螺旋測微法、精密輪廓掃描法(臺階法)、掃描電子顯微法(SEM); 間接測量指根據一定對應的物理關(guān)系，將相關(guān)的物理量經(jīng)過(guò)計算轉化為薄膜的厚度，從而達到測量薄膜厚度的目的。 常見(jiàn)的間接法測量有：稱(chēng)量法、電容法、電阻法、等厚干涉法、變角干涉法、橢圓偏振法。按照測量的原理可分為三類(lèi)：稱(chēng)量法、電學(xué)法、光學(xué)法。 常見(jiàn)的稱(chēng)量法有：天平法、石英法、原子數測定法; 常見(jiàn)的電學(xué)法有：電阻法、電容法、渦流法; 常見(jiàn)的光學(xué)方法有：等厚干涉法、變角干涉法、光吸收法、橢圓偏振法。 下面簡(jiǎn)單介紹三種： 1. 干涉顯微鏡法 干涉條紋間距Δ0，條紋移動(dòng)Δ，臺階高為t=(Δ/Δ0 )*0.5λ，測出Δ0 和Δ，即可，其中λ為單色光波長(cháng)，如用白光，λ取 530nm。 2. 稱(chēng)重法 如果薄膜面積A，密度ρ和質(zhì)量m可以被精確測定的話(huà)，膜厚t就可以計算出來(lái)： d=m/Aρ。 3 石英晶體振蕩器法 廣泛應用于薄膜淀積過(guò)程中厚度的實(shí)時(shí)測量，主要應用于淀積速度，厚度的監測，還可以反過(guò)來(lái)(與電子技術(shù)結合)控制物質(zhì)蒸發(fā)或濺射的速率，從而實(shí)現對于淀積過(guò)程的自動(dòng)控制。 對于薄膜制造商而言，產(chǎn)品的厚度均勻性是最重要的指標之一，想要有效地控制材料厚度，厚度測試設備是必不可少的，但是具體要選擇哪一類(lèi)測厚設備還需根據軟包材的種類(lèi)、廠(chǎng)商對厚度均勻性的要求、以及設備的測試范圍等因素而定。 三、真空鍍膜機保養知識： 1. 關(guān)閉泵加熱系統，然后分離蒸鍍室(主要清潔灰塵，于蒸鍍殘渣) 2. 關(guān)閉電源或程序打入維護狀態(tài) 3. 清潔卷繞系統(幾個(gè)滾軸，方阻探頭，光密度測量器) 4. 清潔中罩室(面板四周) 5. 泵系統冷卻后打開(kāi)清潔(注意千萬(wàn)不能掉入雜物，檢查泵油使用時(shí)間與量計做出更換或添加處理) 6. 檢查重冷與電氣柜設備 以上真空鍍膜技術(shù)原理由愛(ài)加真空整理，愛(ài)加真空專(zhuān)業(yè)維修各種進(jìn)口真空鍍膜設備，并代理銷(xiāo)售野馬真空系統和美國Polycold捕集泵銷(xiāo)售、維修、二手置換，如果你有相關(guān)的技術(shù)問(wèn)題，請聯(lián)系我們，愛(ài)加第一時(shí)間為您服務(wù)。 相關(guān)閱讀 |
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