當前位置：網(wǎng)站首頁(yè) > 技術(shù)中心
技術(shù)中心 Technology
| 濺射鍍膜方法的基本原理分析 |
| 發(fā)布時(shí)間：2015-01-21 瀏覽：6653 次 |
濺射鍍膜的基本原理就是讓具有足夠高能量的粒子轟擊固體靶表面使靶中的原子發(fā)射出來(lái)，沉積到基片上成膜。 濺射鍍膜有多種方式，其典型方式如表4 所示，表中列出了各種濺射鍍膜的特點(diǎn)及原理圖。 從電極結構上可分為二極濺射、三極或四極濺射和磁控濺射;射頻濺射適合于制備絕緣薄膜;反應濺射可制備化合物薄膜;中頻濺射是為了解決反應濺射中出現的靶中毒、弧光放電及陽(yáng)極消失等現象; 為了提高薄膜純度而分別研制出偏壓濺射、非對稱(chēng)交流濺射和吸氣濺射;為了改善膜層的沉積質(zhì)量，研究開(kāi)發(fā)了非平衡磁控濺射技術(shù)。 表4 各種濺射鍍膜方法的原理及特點(diǎn)  推薦閱讀 |
  |
