| 電弧 |
電弧是自發(fā)的電弧放電，從而對鍍膜質(zhì)量產(chǎn)生負面影響。 |
| 電弧管理 |
為了應對突然的電弧放電，人們使用了電弧管理系統。通過(guò)反應快速的傳感器快速、準確地探測到正在產(chǎn)生的電弧，并作出響應。 |
| 布里茲曼•斯托克巴杰法 |
也稱(chēng)作垂直拉制法。在封閉杯的坩堝中加熱多晶基材，然后以較低的冷卻速率使其慢慢冷卻。石墨感應器用于傳遞熱量。將坩堝移出射頻場(chǎng)時(shí)，晶體也隨之冷卻變硬。換個(gè)方法，也可以通過(guò)降低電源輸出功率達到相同效果。 |
| CO2 激光 |
二氧化碳激光是受激的氣體激光，波長(cháng)為 10.6 μm （遠紅外），廣泛用于材料加工工藝。 |
| CVD |
化學(xué)氣相沉積 (CVD) 技術(shù)能在各種不同質(zhì)量的材料表面沉積一層鍍膜。由氣態(tài)物質(zhì)生成固態(tài)的鍍膜材料，然后以晶態(tài)或非晶態(tài)的形式沉積在需要鍍膜的材料（基材）上。 |
Czochralski法
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也稱(chēng)為坩堝拉制法。將需要處理的材料在一個(gè)坩堝中熔化。單晶晶核逐漸靠近浴爐表面的中心，并與其接觸。在毛細作用下，液體沿著(zhù)晶核升高，形成彎月面，產(chǎn)生液體-固體-氣體的分界面。晶核然后被慢慢地向上拉伸，從而形成單晶。始終使單晶保持旋轉，單晶就生長(cháng)成晶格。 |
| 摻雜 |
在某種材料中有針對性地摻入雜質(zhì)，通常濃度很小。主要應用于半導體領(lǐng)域的電導率調節。 |
| 晶體外延生長(cháng) |
單晶鍍膜在相同材料的單晶基材上生長(cháng)，同時(shí)保留晶體結構。 |
| 半導體 |
由于其電導率，是既可視為導體也可視為絕緣體的固體。電導率在很大程度上取決于溫度，受到摻雜程度的影響。生產(chǎn)半導體的主要材料為硅。 |
| 感應 |
通過(guò)周?chē)艌?chǎng)隨著(zhù)時(shí)間交替變化而在導體中產(chǎn)生電流。 |
| 感應加熱 |
感應加熱是通過(guò)電磁感應來(lái)加熱金屬物件的過(guò)程。所有電導性材料均可被感應加熱。 |
| 感應耦合等離子體 |
交流電流過(guò)線(xiàn)圈，在氣體中感應生成電流，電流又使帶電粒子升溫，并擊穿氣體產(chǎn)生等離子體。感應線(xiàn)圈不需要再反應腔體內。 |
| 感應器 |
在感應加熱過(guò)程中用于產(chǎn)生工件所在的電磁場(chǎng)。用交流電來(lái)產(chǎn)生電磁場(chǎng)。 |
| 離子植入 |
粒子束法：通過(guò)轟擊基材表面植入高能粒子。常見(jiàn)于微電子領(lǐng)域，用于半導體摻雜和金屬表層處理以提高其機械性能。 |
| 同軸電纜 |
具有同心結構的雙芯電纜。通過(guò)絕緣體或電介體將內層導體和外層導體隔開(kāi)。這樣的布置方式降低了電纜外的電磁場(chǎng)。同軸電纜常用于連接高頻電源和匹配箱。 |
| 同軸變壓器 |
一種構造類(lèi)似同軸電纜的特殊變壓器，次級線(xiàn)圈包裹住初級線(xiàn)圈。主要用于減弱感應器處的高頻電壓。 |
| 電容器 |
電容器存儲電荷，通過(guò)與電感線(xiàn)圈串聯(lián)或并聯(lián)，能在感應加熱電源中形成諧振電路。 |
| 磁控濺鍍 |
在采用磁控濺鍍工藝時(shí)，除了電場(chǎng)之外在陰極后面還施加了一個(gè)磁場(chǎng)。此磁場(chǎng)將等離子體中的電子導向靶材表面，因而提高了沉積濺射率。 |
| 匹配箱 |
通過(guò)濾波器和諧振電路，使陰極的阻抗與電源輸出阻抗相匹配的匹配網(wǎng)絡(luò )。 |
| 低溫等離子體 |
低溫等離子體是指電能低于 10 eV 或 105 K、電子密度從 1014 到 1024 m-3 的氣相等離子體。通常，低溫等離子體在很低的密度時(shí)具有很小的電離度，也就是說(shuō)離子和電子的數量比中性粒子（原子或者分子）少得多。所有低溫等離子體的主 要共同特征是，等離子體內部的不同粒子可能具有不同的溫度或者能量。這就是說(shuō)，氣體保持相對低溫，但是某些粒子盡管如此仍攜帶很高的能量（例如日光燈 管）。 |
| 等離子體 |
在物理上，人們將等離子體成為具有電子特征的電離氣體。如果向氣體中施加巨大的能量使一部分原子電離出來(lái)，就會(huì )產(chǎn)生等離子體。等離子體總的來(lái)說(shuō)是中性的，因為帶正電和帶負電粒子的數量基本上相同。 |
| 等離子體激活 |
在等離子體的作用下激活一個(gè)表面，例如通過(guò)去除鈍化物（氧化層），以及為了后續（鍍膜）工藝對表面進(jìn)行準備，例如涂鍍鍍膜、涂漆等。 |
| 等離子體激發(fā) |
當固體材料被加熱后，其變成液體甚至氣體。當溫度繼續升高，氣體顆粒的熱動(dòng)能變得很高，以至于電子在碰撞過(guò)程中從分子或原子中分離，進(jìn)而導致等離子體激發(fā)。 |
| 等離子體鍍膜 |
工作氣體離子轟擊靶材表面，從而使靶材顆粒沉積在基板上的過(guò)程。等離子體在大多數先進(jìn)的真空鍍膜工藝（例如PVD、CVD）中都可以使用。成膜過(guò)程在等離子體中發(fā)生；等離子體的高能量可以提高鍍膜質(zhì)量（例如粘附）?，F代的PVD及CVD工藝均基于等離子體。 |
| PECVD |
一種通過(guò)等離子體激發(fā)化學(xué)反應的 CVD 工藝（PECVD，等離子體增強化學(xué)氣相沉積）。通過(guò)吸收來(lái)自等離子體的能量，可以在低于 500° C 的較低溫度下產(chǎn)生化學(xué)反應。PECVD 主要用于工具鍍膜和微電子行業(yè)。 |
| 等離子體聚合 |
在等離子體（或者紫外線(xiàn)）的作用下，有機或者無(wú)機聚合物從單體蒸汽中析出。例如在太陽(yáng)能行業(yè)中用作反射鏡的防護層，在汽車(chē)中用在大燈上，或者用于生產(chǎn)薄膜。 |
| 等離子體源 |
在利用靜電放電生成等離子體時(shí)，直流電和交流電進(jìn)行從高頻到微波的大范圍放電。隨著(zhù)激發(fā)頻率越來(lái)越高，可以實(shí)現更高的離子密度。脈動(dòng)的和其它隨著(zhù) 時(shí)間變化的等離子體可以使等離子在短時(shí)間內聚集巨大的能量，并且有針對性地控制這個(gè)過(guò)程，從而例如發(fā)生能量弛豫過(guò)程或者后續反應，并且將其用于反應工藝。 |
| 等離子體刻蝕 |
是一種通過(guò)利用等離子體的相互作用在基材上形成揮發(fā)性反應物的涂鍍技術(shù)。這種相互作用可以是來(lái)自化學(xué)反應（反應性等離子體刻蝕），也可以是物理現象（濺射表面），然后就使材料涂鍍在基材上。這種工藝主要用在半導體工業(yè)。 |
| 等離子體熱處理 |
是一種在等離子體作用下的熱化學(xué)工藝，通過(guò)這種工藝可以大大降低工件在處理時(shí)的溫度。 |
| PVD |
物理氣相沉積：利用物理工藝（蒸發(fā)、用高能離子轟擊等）在真空中涂鍍一種材料（靶材）。這種鍍膜材料隨即從氣態(tài)變?yōu)楣虘B(tài)，沉積到基材上。PVD 工藝適用于在相對比較低的溫度下鍍膜。 |
| 高溫計 |
用于非接觸式溫度測量的儀器，主要功能是探測從一個(gè)物體散發(fā)出的、一定波長(cháng)范圍內的熱輻射。由此可以實(shí)現非接觸式測量。 |
| 反應性磁控濺鍍 |
在處理腔內，向工作氣體中加入反應氣體。通過(guò)等離子體電離出來(lái)的離子在真空室內與濺射出來(lái)的鍍膜原子發(fā)生反應。而后，由此產(chǎn)生的反應物沉積在基材表面。 |
| 諧振電路 |
用于產(chǎn)生電諧振的電路。理想的（無(wú)損失）的諧振電路只由一個(gè)電感器和一個(gè)電容器組成；實(shí)際的（有損失的）諧振電路還要配有負責緩沖振蕩的歐姆電 阻。諧振電路分為并聯(lián)和串聯(lián)諧振電路。每個(gè)實(shí)際諧振電路的主要指標都是諧振頻率和功率因素。功率因素反映了無(wú)功功率和有功功率的比例。 |
| 濺鍍 |
指的是一個(gè)物理過(guò)程，在這個(gè)過(guò)程中原子在高能離子的轟擊下從固體（靶材）中脫落，轉變?yōu)闅鈶B(tài)。脫離出來(lái)的粒子沉積在基材上，形成鍍膜。鍍膜率相對比較低，但是鍍膜特別厚、平整。濺鍍工藝主要應用在微電子產(chǎn)品、光學(xué)儀器和工具的鍍膜上。 |
| 基材 |
基材是指需要鍍膜的對象。在芯片工業(yè)中可能就是硅晶圓，在其它用途中可能將玻璃用作液晶屏幕或者光伏電池的基材?；倪€可以是紡織品、薄膜和塑料。 |
| 靶材 |
靶材是等離子體濺射工藝中需要濺射的材料。 |
| 蒸發(fā) |
鍍膜材料在真空中蒸發(fā)（例如通過(guò)電阻加熱器或者用電子束加熱）。蒸汽沉積在基材上。通過(guò)汽化可以實(shí)現很高的鍍膜率，但是由于沒(méi)有等離子體的作用，鍍膜不再十分嚴密。例如用在大面積鍍膜上。 |
